第三代半导体加速产业化 东莞材料链崛起成新引擎

时间：2026年08月26日 21:22:20 中财网

　　CFi.CN讯：数据显示，第三代半导体以SiC和GaN为核心，禁带宽度大，具备高频、高压、高温、低损耗优势，正从技术导入迈向规模产业化。AI数据中心成为关键新增场景，SiC用于高压整流与PFC，GaN主攻高频DC-DC转换，800V系统中分工明确。

　　
　　近期机构研报指出，东莞已形成‘两头强、中间弱’的哑铃型布局：上游衬底外延全国领先——天域半导体SiC外延市占第一，中镓、中图科技在GaN衬底与PSS领域全球前列；下游封测实力雄厚——安世半导体扩建、利扬芯片测试产能释放、气派科技GaN封测技术突破。松山湖集聚北大研究院等平台，强化研发转化能力。

　　
　　研报认为，产业核心变量正转向8英寸SiC良率提升与成本下探，而东莞在材料端的卡位优势显著，虽暂缺IDM晶圆厂，但上游高壁垒+下游高弹性构成估值支撑点。材料环节率先受益于国产替代与AI算力基建提速，相关企业有望迎来订单与技术验证双驱动。